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SCS306AP

SiC Schottky Barrier Diode

文件:1.02293 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

SCS306APC9

SiC Schottky Barrier Diode

文件:1.02293 Mbytes 页数:7 Pages

ROHM

罗姆

SCS306AP

SiC(碳化硅)肖特基势垒二极管

为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 • Shorter recovery time\n• Reduced temperature dependence\n• High-speed switching possible\n• High surge current capability;

ROHM

罗姆

SCS306APC9

Package:TO-220-2;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SC SCHKY 650V 6A TO220ACP

Rohm Semiconductor

Rohm Semiconductor

技术参数

  • Status:

    新设计非推荐

  • 封装:

    TO-220ACP

  • 包装数量:

    1000

  • 最小独立包装数量:

    50

  • 包装形态:

    Tube

  • RoHS:

    Yes

  • Grade:

    Standard

  • Reverse Voltage[V]:

    650

  • Continuous Forward Current[A]:

    6.0

  • Total Power Dissipation[W]:

    46

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多SCS306AP供应商 更新时间2025-10-6 13:58:00