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SHB-220M	文件：167.83 Kbytes Page：9 Pages	SMDPowerInductorsShielded SMDPowerInductorsShielded	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
SHC-220M	文件：167.83 Kbytes Page：9 Pages	SMDPowerInductorsShielded SMDPowerInductorsShielded	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
SHJ-220A	文件：54.76 Kbytes Page：2 Pages	ISDN-SOSMDSingleInterfaceTransformers	TALEMA Talema Group LLC	TALEMA
SIDR220DP	文件：216.84 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •OptimizedQg,Qgd,andQgd/Qgsratioreduces switchingrelatedpowerloss •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIDR220EP	文件：167.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD220	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR220	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFR220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
SCS220P
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
2.0 A Schottky Barrier Rectifiers

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	SCS220P	SECOS	2019+PB	SOD-123	85000	原装正品可含税交易	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SCS220P	SeCoS	19+	SOD-123	200000		询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	SCS220P	Secos	20+	SOD-123	36800	原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
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