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SIDR220EP	文件：167.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 25 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：167.07 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIDR220EP-T1-RE3	文件：167.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 25 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：167.07 Kbytes 页数：7 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SiDR220EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-Channel 25 V (D-S) 175 °C MOSFET	Vishay 威世	Vishay
SIHFD220	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case style which can be stacked in multiple combinat 文件：1.78249 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vaporphase, infrared, or wave soldering techniques. The str 文件：1.44698 Mbytes 页数：8 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
SIHFR220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFET DESCRIPTION Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The DPAK is designed for surface mounting using vapor phase, infrared, or wave soldering techniques. The st 文件：3.96242 Mbytes 页数：7 Pages	KERSEMI	KERSEMI

技术参数

Package：
PowerPAK SO-8DC
Ch：
N
VDS (V)：
25
VGS (V)：
16
RDS(on)@4.5V (Ω)：
0.00082
RDS(on)@10V (Ω)：
0.00058
Qg @4.5V (nC)：
61
Qg @10V (nC)：
134
Qgs (nC)：
24
Qgd (nC)：
9.2
ID Max. (A)：
415
PD Max. (W)：
150
VGS(th) Min. (V)：
1
Rg Typ. (Ω)：
0.38

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