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SIDR220DP	文件：216.84 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •OptimizedQg,Qgd,andQgd/Qgsratioreduces switchingrelatedpowerloss •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIDR220EP	文件：167.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD220	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR220	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFR220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220T	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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产品属性

产品编号：
SCS220AMC
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
管件
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
730pF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2 整包
供应商器件封装：
TO-220FM
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 650V 20A TO220FM

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