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SCS215AGHR	文件：541.41 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS215AG；Package：TO-220AC；SiC Schottky Barrier Diode 文件：541.41 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AG	文件：918.66 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AG	文件：187.28 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：187.28 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AGC	文件：242.25 Kbytes Page：3 Pages	SiC Schottky Barrier Diode FEATURES · Reduced Temperature Dependence · High-speed Switching Possible · Shorter Recovery Time APPLICATIONS · Secondary Side Rectification · PFC Boost Topology · Data Center 文件：242.25 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SCS215AG_17	文件：918.66 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AGHR	文件：918.66 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AGHR_17	文件：918.66 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：918.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管 SCS215AG是可通过低VF进行高速开关的SiC肖特基势垒二极管。 2pin封装 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AGHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载用SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管指正在申请中止制造的产品。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS215AGC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 15A TO220AC	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-220AC
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
15
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
110
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
9.8x15.37 (t=4.71)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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更多SCS215AG供应商更新时间2025-10-13 11:10:00

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