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SCS212AM	文件：299.29 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Carbide Schottky Diode FEATURES · Reduced Temperature Dependence · High-speed Switching Possible · Shorter Recovery Time APPLICATIONS · PFC Boost Topology · Data Center · Secondary Side Rectification 文件：299.29 Kbytes 页数：3 Pages	ISC 无锡固电	ISC
SCS212AM	文件：974.31 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：974.31 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AM	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管为支持现有客户而生产的产品。不对新设计出售此产品。 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AMC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2 整包；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220FM	ROHM 罗姆	ROHM

技术参数

Status：
新设计非推荐
封装：
TO-220FM2L
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
12.0
Total Power Dissipation[W]：
37
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175

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更多SCS212AM供应商更新时间2025-12-11 9:16:00

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