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SCS212AG	文件：917.22 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：917.22 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SVS212AGHR	文件：478.42 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS212AG；Package：TO-220AC；SiC Schottky Barrier Diode 文件：478.42 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AGHR	文件：536.69 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：536.69 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AGHR	文件：917.21 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diod 文件：917.21 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AGHR_17	文件：917.21 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diod 文件：917.21 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管可降低开关损耗，可高速开关。 2pin封装。 •反向恢复时间短 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AGHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载用SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管指正在申请中止制造的产品。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS212AGC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS212AGC17	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220AC	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS212AGHRC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO-220-2	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-220ACG
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
12
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
93
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
9.8x15.37 (t=4.71)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威尔健半导体有限公司	SCS212AG	ROHM/罗姆	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
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深圳市博中泰实业有限公司	SCS212AG	ROHM/罗姆	24+	TO-220	60000		询价
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