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SCS210KE2	文件：913.66 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：913.66 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2HR	文件：549.04 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS210KE2；Package：TO-247；SiC Schottky Barrier Diode 文件：549.04 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管可降低开关损耗，可高速开关。 3pin封装。 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2HR	文件：913.72 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：913.72 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2HR_17	文件：913.72 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：913.72 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2HR	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载用SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管 SCS210KE2HR是以AEC-Q101为标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210KE2HR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC 肖特基二极管	Lujing 鲁晶	Lujing
SCS210KE2GC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：1200V, 10A, 3-PIN THD, SILICON-C	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS210KE2HRC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：托盘类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS210KE2HRC11	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 阵列描述：DIODE SCHOTTKY 650V TO-247AC	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-247N
包装数量：
450
最小独立包装数量：
30
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
1200
Continuous Forward Current[A]：
10
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
170
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
16x21 (t=5.2)

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