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SCS210AJ	文件：1.02693 Mbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：1.02693 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AJHR	文件：1.030819 Mbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：1.030819 Mbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管可降低开关损耗，可高速开关。表面封装。 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AJ	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC 肖特基二极管	Lujing 鲁晶	Lujing
SCS210AJHR	文件：300 bytes Page：1 Pages	车载用SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管 SCS210AJHR是符合AEC-Q101标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管。可降低开关损耗，可高速开关。3pin封装。 • AEC-Q101 qualified\n• Shorter recovery time\n• High-speed switching possible\n• Reduced temperature dependence;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AJHRTLL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
SCS210AJTLL	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO263AB	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-263AB (LPTL)
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
1000
包装形态：
Taping
RoHS：
Yes
Grade：
Standard
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
10
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
83
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
10.1x9 (t=4.7)

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市正纳电子有限公司	SCS210AJ	ROHM / 半导体	ROHS.ORIGINAL	原厂原装 .小批量支持	35800	电子元器件供应链.半导体代理,原装现货支持	询价
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更多SCS210AJ供应商更新时间2025-10-4 13:39:00

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