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SCS210AGHR	文件：477.89 Kbytes Page：6 Pages	丝印：SCS210AG；Package：TO-220AC；SiC Schottky Barrier Diode 文件：477.89 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AG	文件：901.32 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：901.32 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AG	文件：286.3 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：286.3 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AG_17	文件：901.32 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：901.32 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AGHR	文件：899.05 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：899.05 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AGHR_17	文件：899.05 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：899.05 Kbytes 页数：6 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管可降低开关损耗，可高速开关。 2pin封装。 •反向恢复时间短 \n•能够高速开关 \n•特性的温度影响小;	ROHM 罗姆	ROHM
SCS210AG	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC 肖特基二极管	Lujing 鲁晶	Lujing
SCS210AGHR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC 肖特基二极管	Lujing 鲁晶	Lujing
SCS210AGC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AC	Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor

技术参数

封装：
TO-220AC
包装数量：
1000
最小独立包装数量：
50
包装形态：
Tube
RoHS：
Yes
Grade：
Automotive
Reverse Voltage[V]：
650
Continuous Forward Current[A]：
10
Generation：
2nd Gen
Total Power Dissipation[W]：
78
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175
Package Size [mm]：
9.8x15.37 (t=4.71)
Common Standard：
AEC-Q101 (Automotive Grade)

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