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SCS110KGC	文件：184.1 Kbytes Page：6 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Features 1)Shorterrecoverytime 2)Reducedtemperaturedependence 3)High-speedswitchingpossible Construction Siliconcarbideepitaxialplanertype	ROHMRohm 罗姆罗姆半导体集团	ROHM
SCS110KGC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-2；包装：剪切带（CT）带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC	Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor	Rohm Semiconductor
S-CSZA110A	文件：367.68 Kbytes Page：5 Pages	GlassPassivatedJunctionZenerVoltageRegulator1.0WattSteadyState FEATURES •1Wzenervoltageregulatordiodes •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammability Classification94V-0 •Guardingforovervoltageprotection •Idealforsurface-mountapplications •Hightemperaturesolderingguaranteed:260°C/10secondsat terminals •Wedeclaretha	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
SDB110	文件：101.02 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260oC/10	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SDB110	文件：408.94 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
SDB110	文件：254.36 Kbytes Page：2 Pages	1.0AMP.SchottkyBarrierBridgeRectifiers Features ◇Metaltosiliconrectifier,majoritycarrierconduction ◇Lowforwardvoltagedrop ◇Easypickandplace ◇Highsurgecurrentcapability ◇PlasticmaterialusedcarriersUnderwritersLaboratoryClassification94V-0 ◇Epitaxialconstruction ◇Hightemperaturesoldering:260°C/10	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
SDB110Q	文件：221.77 Kbytes Page：4 Pages	SchottkyBarrierDiode	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：175.7 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode GeneralDescription TheSDB110QSchottkybarrierdiodesaredesignedforhigh-speedswitchingapplications,circuitprotection,andvoltageclamping.Extremelylowforwardvoltagereducesconductions.Miniaturesurfacemountpackageisexcellentforhand-heldandportableapplicationswherespace	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
SDB110Q	文件：33.64 Kbytes Page：3 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowforwardvoltage:VF=Max.0.4V(@IF=10mA) •Lowreversecurrent:IR=Max.0.5㎂(@VR=5V) •Highspeedswitchingapplication	AUK AUK corp	AUK
SDB110Q	文件：172.9 Kbytes Page：5 Pages	GeneralPurposeSchottkyBarrierDiode	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI

产品属性

产品编号：
SCS110KGC
制造商：
Rohm Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
碳化硅肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
10A
速度：
无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
650pF @ 1V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-2
供应商器件封装：
TO-220AC
工作温度 - 结：
175°C（最大）
描述：
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 10A TO220AC

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