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SHB-220M	文件：167.83 Kbytes Page：9 Pages	SMDPowerInductorsShielded SMDPowerInductorsShielded	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
SHC-220M	文件：167.83 Kbytes Page：9 Pages	SMDPowerInductorsShielded SMDPowerInductorsShielded	PREMOPREMO CORPORATION S.L 普莱默	PREMO
SHJ-220A	文件：54.76 Kbytes Page：2 Pages	ISDN-SOSMDSingleInterfaceTransformers	TALEMA Talema Group LLC	TALEMA
SIDR220DP	文件：216.84 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel25V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®GenIVpowerMOSFET •OptimizedQg,Qgd,andQgd/Qgsratioreduces switchingrelatedpowerloss •Topsidecoolingfeatureprovidesadditional venueforthermaltransfer •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.v	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIDR220EP	文件：167.07 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel25V(D-S)175째CMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFD220	文件：1.78249 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：1.44698 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR220	文件：3.96242 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderingtechniques.Thest	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
SIHFR220	文件：332.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFR220	文件：816.14 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR220,SiHFR220) •Straightlead(IRFU220,SiHFU220) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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产品属性

产品编号：
SCRN220R-F
制造商：
Cornell Dubilier Electronics (CDE)
类别：
电容器 > 薄膜电容器
系列：
SCR
包装：
散装
容差：
±10%
额定电压 - AC：
600Vpk
介电材料：
纸，金属化
工作温度：
-40°C ~ 80°C
安装类型：
机架安装，需要支架/托架
封装/外壳：
径向，Can
大小 / 尺寸：
2.160" 长 x 1.310" 宽（54.86mm x 33.27mm），唇状
高度 - 安装（最大值）：
2.690"（68.33mm）
端接：
螺纹，公头
引线间距：
0.810"（20.57mm）
应用：
换向，高频，开关式，高脉冲，DV/DT
描述：
CAP FILM 2UF 10% 600VPK RADIAL

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