支持充放电双向、带I2C控制接口的40V高效、同步升降压（buck-boost）充电管理控制芯片

SC8812A 是一款带I2C接口的同步升降压充电控制器，同时支持电池反向放电工作。芯片支持VBAT电池端及VBUS 36V高压工作，在适配器电压高于、低于或者等于电池电压时，均能保证1-4节锂离子电池充电应用。当工作系统需要电池提供能量时，SC8812A也支持电池反向放电工作，输出设定的电压，并且最高放电电压可达36V。用户通过I2C接口可以很方便地选择充电/放电模式，设置充电电流、充电电压、反向输出电压、限流值、开关频率以及其他参数等。除此之外，SC8812A还支持DPDM握手控制。内部集成的10位ADC，可以方便用户实时检测读取VBUS/VBAT电压和电流，另外，SC8812A还可以支持 支持1-4节电池升降压充电管理控制，包括涓流充电、恒流充电（CC）、恒压充电（CV）、充电截止\n\n反向升降压放电工作\n\nVBAT工作范围：2.7V至26V\n\nVBUS工作范围：2.7V至36V（40V耐压）\n\nI2C可编程控制充电电流及充电电压\n\nI2C可编程控制反向输出电压\n\nI2C可编程控制输入及输出限流\n\n超高的升降压转换效率\n\n支持DP/DM快速充电协议握手控制（MCU控制）\n\n内部集成10bit ADC\n\n充电状态指示\n\n事件监测：适配器接入和负载接入自动检测\n\n功率路径管理\n\n完善的保护：欠压保护、过压保护、过流保护、短路保护，热;

SouthChip

南芯科技

N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

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VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

Description The ST8812FP is manufactured using latest Multi Epitaxial Planar technology with high voltage capability. It shows wide R.B.S.O.A. and high switching speed thanks to its Cellular Emitter structure with planar edge termination and deep base diffusion. Features ■ HIGH VOLTAGE CAPABILI

文件：130.1 Kbytes 页数：10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

High voltage fast-switching NPN Power transistor

Description The ST8812FX is manufactured using latest Multi Epitaxial Planar technology with high voltage capability. It shows wide R.B.S.O.A. and high switching speed thanks to its Cellular Emitter structure with planar edge termination and deep base diffusion. Features ■ High voltage capabili

文件：142.94 Kbytes 页数：10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体