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SC7701

3G RTOS功能机平台

SC7701是一款高性能比的3G RTOS功能机平台,2013年量产,获三星、Nokia、TCL、传音等全球知名品牌长期持续规模出货,累计出货量过亿。

UNISOC

紫光展锐

SC77010Q

带智能保险丝保护功能的高压侧开关控制器

SC77010 器件是用于高压侧功率 FET 的单通道智能控制器。它可用于 12V、24V 和 48V 汽车应用。全面的诊断和高精度电流检测功能可实现对外部 FET 负载的智能控制。该集成电路可通过 3.3 V 和 5 V CMOS 兼容 SPI 接口与主机微控制器连接,也可在跛行模式下由 IO 引脚直接控制。 通过汽车应用认证\n\n通过 AEC-Q100 1 级认证:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围\n\n高压侧开关控制 IC,具有电子保险丝保护功能,适用于 12 V、24 V 和 48 V 汽车应用\n\n宽工作电压 6 至 60 V\n\n超低待机电流 \\u003c 100 uA\n\n用于主机控制的 SPI 从接口\n\n与 3.3 V 和 5 V 逻辑兼容的 32 位 SPI 接口\n\n通过外部高压侧分流电阻器通过 SPI 进行高精度电流检测\n\n通过内部和外部控制实现强大的故障安全功能\n\n具有直接 PIN 控制功能的跛行原点模式\n\n待机模式下的旁路过流检测\n\;

SouthChip

南芯科技

TIPL770

NPN SILICON POWER TRANSISTOR

NPN SILICON POWER TRANSISTOR ● Rugged Triple-Diffused Planar Construction ● 2.5 A Continuous Collector Current ● Operating Characteristics Fully Guaranteed at 100°C ● 850 Volt Blocking Capability ● 50 W at 25°C Case Temperature

文件:149.13 Kbytes 页数:7 Pages

POINN

VN770

QUAD SMART POWER SOLID STATE RELAY FOR COMPLETE H-BRIDGE CONFIGURATIONS

DESCRIPTION The VN770 is a device formed by three monolithic chips housed in a standard SO-28 package: a double high side and two Power MOSFETs. The double high side are made using STMicroelectronics VIPower technology; Power MOSFETs are made by using the new advanced strip lay-out technology. Th

文件:87.6 Kbytes 页数:10 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VN770P

QUAD SMART POWER SOLID STATE RELAY FOR COMPLETE H BRIDGE CONFIGURATIONS

DESCRIPTION The VN770P is a device formed by three monolithic chips housed in a standard SO28 package: a double high side and two low side switches. Both the double high side and low side switches are made using STMicroelectronics VIPower technology. This device is suitable to drive a DC motor in

文件:95.62 Kbytes 页数:11 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

技术参数

  • Channels:

    1

  • External FET:

  • Current Sense Diagnosis Output:

    Digital

  • I2t Setting:

    Digital

  • Interface:

    SPI

  • Package:

    QFN-32

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更多SC770供应商 更新时间2026-4-18 14:15:00