集成MOSFET的单节高精度锂离子/聚合物电池保护芯片

SC5516C是一种高度集成的单电芯锂离子电池保护芯片。控制内部集成的MOSFET并提供电池保护功能，包括电池过压保护及电池欠压保护，充放电过流保护和负载短路保护等。SC5516C只需要很少的外部器件包括一个电容和一个电阻，可以有效地减少空间和成本，特别是有限的空间的电池应用。SC5516C特别集成了在不同温度和电池电压补偿内部MOSFET Rdson，有效保证高精度电压/电流检测及延时电路，避免电池过充/过放。因此，电池是应用在安全内的并且使用寿命得到了有效延长。SC5516C的待机电流极低以便于电池长时间存储。集成的低Rdson MOSFET确保电池可以提供最大能量。SC5516C采用SO 单节锂离子/聚合物电池保护芯片\n\n成本低，易于设计，只需要一个电容和电阻\n\n精确的延时电路\n\n充电过压保护及释放\n\n放电过压保护及释放\n\n充电过流保护\n\n放电过流保护\n\n负载短路保护\n\n支持0V电池充电功能\n\n电池反充保护\n\n集成超低Rdson MOSFET (19 mΩ，VM-GND)\n\n低工作电流和关机电流(5uA/0.4uA)\n\n热关断;

SouthChip

南芯科技

SURFACE MOUNT SILICON ZENER DIODES

VZ : 3.9 - 200 Volts PD : 3 Watts FEATURES : * Complete Voltage Range 3.9 to 200 Volts * High peak reverse power dissipation * High reliability * Low leakage current * Pb / RoHS Free

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EIC

2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM

文件：551.7 Kbytes 页数：12 Pages

TOSHIBA

东芝

2,048 WORD X 8 BIT CMOS STATIC RAM

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TOSHIBA

东芝