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SHJC224	文件：289.83 Kbytes Page：3 Pages	SURFACEMOUNTTANTALUMCHIPSHJ	DUBILIER dubilier	DUBILIER
SIHFD224	文件：1.11815 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET VDS(V)250 RDS(on)(Ω)VGS=10V1.1 Qg(Max.)(nC)14 Qgs(nC)2.7 Qgd(nC)7.8 ConfigurationSingle DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIHFR224	文件：331.86 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SIHFR224	文件：368.21 Kbytes Page：13 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Surface-mount(IRFR224,SiHFR224) •Straightlead(IRFU224,SiHFU224) •Availableintapeandreel •Fastswitching •Easeofparalleling •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?9	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SIHFR224T	文件：853.71 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsformVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheDPAKisdesignedforsurfacemountingusingvaporphase,infrared,orwavesolderigtechniques.Thestr	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
SC224NG
功能描述：
运算放大器 - 运放 SC224NG
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
通道数量：
4
共模抑制比（最小值）：
63 dB
输入补偿电压：
1 mV
输入偏流（最大值）：
10 pA
工作电源电压：
2.7 V to 5.5 V
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
QFN-16
转换速度：
0.89 V/us
关闭：
No
输出电流：
55 mA
最大工作温度：
+ 125 C
封装：
Reel

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