普通ESD保护

雪崩击穿二极管采用专有的硅雪崩技术，可保护每个输入/输出引脚，为可能经历破坏性静电放电 （ESD）的电子设备提供高层次保护。 该二极管功能强大，可安全吸收±30kV（接触和空气放电，IEC 61000-4-2）时反复性ESD震击，性能无任何降低。 此外，每个二极管还可在极低的箝位电压下安全耗散80A（SC1105）的8/20μs浪涌电流（IEC 61000-4-5第2版）。 • ESD，IEC 61000-4-2，±30kV接触放电，±30kV空气放电 \n•EFT，IEC 61000-4-4，40A（5/50ns） \n• 雷击，IEC 61000- 4-5第2版，80A (tP=8/20μs，SC1105)\n• 低箝位电压 \n•泄露电流低 \n•湿度灵敏性等级(MSL -1) \n•无铅，符合RoHS标准;

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丝印：AQFX；TVS Diode Arrays (SPA ? Diodes) SC11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode

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Package：0603（1610 公制）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：电路保护 TVS - 二极管 描述：TVS DIODE 15VWM 27.4VC 2DFN

Littelfuse Inc.

SP11xx Series Discrete Unidirectional TVS Diode

Description Avalanche breakdown diodes fabricated in a proprietary silicon avalanche technology protect each I/O pin to provide a high level of protection for electronic equipment that may experience destructive electrostatic discharges (ESD). These robust diodes can safely absorb repetitive

文件：768.23 Kbytes 页数：7 Pages

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