| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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SMALLSIGNALDIODEVOLTAGERANGE30Volts | RECTRON Rectron Semiconductor | RECTRON | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE Features •LowForwardVoltageDrop •GuardRingDieConstructionforTransientProtection •Idealforlowlogiclevelapplications •LowCapacitance •Lead,HalogenandAntimonyFree,RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4) | DIODES Diodes Incorporated | DIODES | ||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYDIODES FEATURES •VeryLowVF:0.36V(Max)atIF=2mA •LowCapacitance:3pF(Max)atVR=10V •ExtremelyFastSwitchingSpeed •LeadfreeincompliancewithEURoHS2011/65/EUdirective •GreenmoldingcompoundasperIEC61249Std..(HalogenFree) | PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司 | PANJIT | ||
SchottkyDiodes Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Lowturn-onvoltage •Fastswitching •Microminiatureplasticpackage •ThisdeviceisprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarge. •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PS | MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司 | MCC | ||
SCHOTTKYBARRIERDIODE FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●Idealforlowlogiclevelapplications ●LowCapacitance ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion | HTSEMIShenzhen Jin Yu Semiconductor Co., Ltd. 金誉半导体深圳市金誉半导体股份有限公司 | HTSEMI | ||
Plastic-EncapsulateSchottkyDiodes FEATURES ●LowForwardVoltageDrop ●GuardRingDieConstructionforTransientProtection ●IdealforLowLogicLevelApplications ●LowCapacitance ●AlsoAvailableinLeadFreeVersion | SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司 | SECOS | ||
SCHOTTKYDIODE Features ●Lowturn-onvoltage ●Fastswitching ●Microminiatureplasticpackage ●TheredevicesareprotectedbyaPNjunctionguardringagainstexcessivevoltage,suchaselectrostaticdischarge. ●ldealforprotectionofMOSdevices,steering,blasing,andcouplongdiodesforfastswitchin | KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司 | KEXIN | ||
30VDetectionswitchtube | SUNMATE | |||
SURFACEMOUNTSCHOTTKYBARRIERDIODE | SUNMATE | |||
SiliconEpitaxialPlanarDiode FEATURES ●Lowforwardvoltagedrop. ●Guardringdieconstructionfortransientprotection. ●Idealforlowlogiclevelapplications. ●Lowcapacitance. APPLICATIONS ●Schottkybarrierswitching | DSK Diode Semiconductor Korea | DSK |
晶体管资料
- 型号：
- 别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家：
- 制作材料：
Si-NPN
- 性质：
- 封装形式：
- 极限工作电压：
50V
- 最大电流允许值：
0.1A
- 最大工作频率：
<1MHZ或未知
- 引脚数：
- 可代换的型号：
3DG120D,
- 最大耗散功率：
0.25W
- 放大倍数：
- 图片代号：
NO
- vtest：
50
- htest：
999900
- atest：
0.1
- wtest：
0.25
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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