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SBT80	文件：28.4 Kbytes Page：2 Pages	SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER DIODES	EIC EIC discrete Semiconductors	EIC
SBT80-04J	文件：38.8 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 40V, 8A Rectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •AttachmentworkabilityisgoodbyMica-lesspackage. Applications •Highfrequencyrectification(	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-04Y	文件：35.83 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 40V, 8A Rectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.55V). •Fastreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Surfacemounttypedevicereducingtheassemblingtimeandfacilitatingcompactandhigh-densityasse	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-06J	文件：39.19 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 60V, 8A Rectifier 60V,8ARectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.58V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •AttachmentworkabilityisgoodbyMica-lesspackage. Applications •Highfreque	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-06JS	文件：248.92 Kbytes Page：3 Pages	60V, 8A Rectifi er 60V,8ARectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.58V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •AttachmentworkabilityisgoodbyMica-lesspackage. Applications •Highfreque	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-06LS	文件：42.41 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 60V, 8A Rectifier 60V,8ARectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.58V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •AttachmentworkabilityisgoodbyMica-lesspackage. Applications •Highfreque	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10J	文件：38.82 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10JS	文件：40.41 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10LS	文件：41.37 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier Features •Tj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Shortreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Micalesspackagefacilitatingmounting. Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converte	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBT80-10Y	文件：35.87 Kbytes Page：3 Pages	Schottky Barrier Diode (Twin Type 쨌 Cathode Common) 100V, 8A Rectifier Features •GuaranteeduptoTj=150°C. •Lowforwardvoltage(VFmax=0.80V). •Fastreverserecoverytime. •Lowswitchingnoise. •Highreliabilityduetohighlyreliableplanarstructure. •Surfacemounttypedevicereducingtheassemblingtimeandfacilitatingcompactandhigh-densityasse	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO

技术参数

二极管类型：
肖特基
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）：
60V
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）：
8A
不同 If 时的电压 - 正向（Vf：
580mV @ 3A
速度：
快速恢复 = 200mA（Io）
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：
100µA @ 30V
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商器件封装：
TO-220ML

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