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SBRT20U50SLP-13	文件：545.37 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SBRT20U50；Package：POWERDI5060-8；20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased reliability against thermal runaway failure in high temperature operation. Less than 1.1mm package profile – ideal for thin applications. Lead-Fre 文件：545.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLPQ-13	文件：337.29 Kbytes Page：5 Pages	丝印：SBRT20U50；Package：POWERDI5060-8；20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Patented Trench SBR technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased 文件：337.29 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLP	文件：545.37 Kbytes Page：5 Pages	20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased reliability against thermal runaway failure in high temperature operation. Less than 1.1mm package profile – ideal for thin applications. Lead-Fre 文件：545.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLPQ	文件：337.29 Kbytes Page：5 Pages	20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI®5060 Features Patented Trench SBR technology provides superior avalanche capability versus Schottky diodes, ensuring more rugged and reliable end applications. Reduced ultra-low forward voltage drop (VF); Better efficiency and cooler operation. Reduced high temperature reverse leakage; Increased 文件：337.29 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLP_15	文件：545.37 Kbytes Page：5 Pages	20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI짰5060 文件：545.37 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLPQ_15	文件：337.29 Kbytes Page：5 Pages	20A TrenchSBR TRENCH SUPER BARRIER RECTIFIER POWERDI짰5060 文件：337.29 Kbytes 页数：5 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLP	文件：300 bytes Page：1 Pages	高效能 (SBRT) Packaged in the compact thermally efficient POWERDI5060-8 package, the SBRT20U50SLP provides very low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures.	Diodes 美台半导体	Diodes
SBRT20U50SLPQ	文件：300 bytes Page：1 Pages	高效能 (SBRT) Packaged in the compact thermally efficient POWERDI5060-8 package, the SBRT20U50SLPQ provides very low VF and excellent reverse leakage stability at high temperatures. It is ideal for use as a rectifier, freewheel diode or blocking diode in automotive applications	Diodes 美台半导体	Diodes
SBRT20U50SLP-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8	DIODES 美台半导体	DIODES
SBRT20U50SLPQ-13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-PowerTDFN；包装：管件类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
SBRT20U50SLP-13
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
TrenchSBR
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
二极管类型：
超级势垒
电流 - 平均整流 (Io)：
20A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
350pF @ 50V，1MHz
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-PowerTDFN
供应商器件封装：
PowerDI5060-8
工作温度 - 结：
-55°C ~ 150°C
描述：
DIODE SBR 50V 20A POWERDI5060-8

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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