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SBR1045I	文件：300 bytes Page：1 Pages	Schottky Rectifier;	SecosSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	Secos
SBR1045I	文件：227.32 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBR1045I_15	文件：227.32 Kbytes Page：2 Pages	10.0 Amp Schottky Barrier Rectifiers	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
SBRB1045G	文件：165.47 Kbytes Page：6 Pages	SWITCHMODESchottkyPowerRectifier Switch-modeSchottkyPowerRectifier SurfaceMountPowerPackage ThisseriesofPowerRectifiersemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargemetal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysui	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRB1045G	文件：79.77 Kbytes Page：6 Pages	Switch-modeSchottkyPowerRectifier SWITCHMODESchottkyPowerRectifierSurfaceMountPowerPackage ThisseriesofPowerRectifiersemploystheSchottkyBarrierprincipleinalargemetal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−artgeometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationandmetaloverlaycontact.Ideallysuite	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBRB1045G	文件：268.7 Kbytes Page：8 Pages	SchottkyPowerRectifier,Switch-Mode,10A,45V ThisseriesofPowerRectifiersemploystheSchottkyBarrier principleinalargemetal−to−siliconpowerdiode.State−of−the−art geometryfeaturesepitaxialconstructionwithoxidepassivationand metaloverlaycontact.Ideallysuitedforuseinlowvoltage,high frequencyswitchingpowersupp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

技术参数

IF (A)：
10
IFSM (A)：
100
VF ( V )：
0.55
IR (mA)：
0.5
Package：
TO-262

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBR1045I供应商更新时间2025-7-30 16:50:00

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