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SBP-6531141513-1010-E1	文件：401.75 Kbytes Page：3 Pages	W-Band Power Amplifier, 65 to 110 GHz, 15 dB Gain, 13 dBm P1dB Description: Model SBP-6531141513-1010-E1 is a GaN based high power amplifier with a typical small signal gain of 15 dB and a nominal P1dB of +13 dBm across the frequency range of 65 to 110 GHz. The DC power requirement for the amplifier is +10 VDC/480 mA. The mechanical configuration offers an i 文件：401.75 Kbytes 页数：3 Pages	ERAVANT	ERAVANT
SBR10E45P5-13	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES/美台 POWERDI5	DIODES/美台上传：深圳市佳杰伟业科技有限公司	DIODES/美台
SBR20A300CTFP-G	文件：0 bytes Page：0 Pages	DIODES TO220F	DIODES 美台半导体上传：深圳市富诚威科技有限公司	DIODES
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更多SBP-6531141513-1010-E1供应商更新时间2025-10-12 9:22:00