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ZXTN25100DFHTA	文件：391.88 Kbytes Page：6 Pages	100V,SOT23,NPNmediumpowertransistor Description Advancedprocesscapabilityandpackagedesignhavebeenusedtomaximisethepowerhandlingandperformanceofthissmalloutlinetransistor.Thecompactsizeandratingsofthisdevicemakeitideallysuitedtoapplicationswherespaceisatapremium. Features •Highpowerdissip	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25100DG	文件：331.9 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistor Description PackagedintheSOT223outlinethisnewlowsaturationNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •HighpowerdissipationSOT223package •Highgain •Lowsaturationvo	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25100DG	文件：338.94 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistorinSOT223 Features •BVCEX>180V •BVCEO>100V •BVECO>6V •IC=3AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DGQTA	文件：338.94 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistorinSOT223 Features •BVCEX>180V •BVCEO>100V •BVECO>6V •IC=3AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DGTA	文件：338.94 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistorinSOT223 Features •BVCEX>180V •BVCEO>100V •BVECO>6V •IC=3AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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ZXTN25100DZ	文件：415.75 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistorinSOT89 Features •BVCEO>100V •BVECO>6V •IC=2.5AContinuousCollectorCurrent •ICM=3.5APeakCollectorCurrent •VCE(SAT)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
ZXTN25100DZ	文件：408.73 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNhighgaintransistor Description PackagedintheSOT89outlinethisnewlowsaturationNPNtransistoroffersextremelylowonstatelossesmakingitidealforuseinDC-DCcircuitsandvariousdrivingandpowermanagementfunctions. Features •HighpowerdissipationSOT89package •Highgain •Lowsaturationvolt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
ZXTN25100DZ	文件：393.84 Kbytes Page：8 Pages	100VNPNMEDIUMPOWERTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
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详细参数

型号：
SBLB25100CT
制造商：
BILIN
制造商全称：
Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited
功能描述：
SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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