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SBL25L25CT	文件：247.44 Kbytes Page：3 Pages	Dual Low VF Schottky Barrier Rectifiers ReverseVoltage20to30VoltsForwardCurrent25.0Amperes Features ♦PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ♦Dualrectifierconstruction,positivecentertap ♦Metalsiliconjunction,majoritycarrierconduction ♦Lowpowerloss,higheffi	Good-Ark GOOD-ARK Electronics	Good-Ark
SBL25L25CT	文件：149.27 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LF maximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderdip260°C,40s(forTO-220ABand ITO-220ABpackage) •Compo	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L25CT-E3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L25CTHE3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L26CT-E3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L26CTHE3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L27CT-E3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L27CTHE3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L28CT-E3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SBL25L28CTHE3	文件：157.08 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low VF Common Cathode Schottky Rectifier FEATURES •Powerpack •Lowpowerloss,highefficiency •Verylowforwardvoltagedrop •Highforwardsurgecapability •Highfrequencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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技术参数

AEC-Q101：
N
Package：
TO-220 AC
Vrrm(V)：
30
If(A)：
10
Ifsm(A)：
200
IR(uA)：
800
VF(V)：
0.45

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