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SBE817	文件：59.45 Kbytes Page：4 Pages	Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier 15V,2.0ARectifier Features •Compositetypewith2lowIRSBDsinonepackage,facilitatinghighdensitymounting. •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.57V). •Lowreversecurrent(VR=7.5V,IRmax=6μA). •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmalla	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBS817	文件：58.77 Kbytes Page：4 Pages	LowVFSchottkyBarrierDiode15V,2.0ARectifier 15V,2.0ARectifier Features •Smallswitchingnoise. •Lowforwardvoltage-(IF=2.0A,VFmax=0.46V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm). Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers).	SANYOSanyo Semicon Device 三洋三洋电机株式会社	SANYO
SBS817	文件：483.41 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.46V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBS817-TL-E	文件：483.41 Kbytes Page：6 Pages	SchottkyBarrierDiode Features •Lowswitchingnoise •Lowforwardvoltage(IF=2.0A,VFmax=0.46V) •Ultrasmallpackagepermittingappliedsetstobesmallandslim(Mountingheight0.75mm) Applications •Highfrequencyrectification(switchingregulators,converters,choppers)	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SDR817	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR817	文件：39.89 Kbytes Page：2 Pages	100AMP50-1200VOLTS60nsecULTRAFASTRECTIFIER	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR817R	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR817RS	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR817RTX	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI
SDR817RTXV	文件：103.62 Kbytes Page：2 Pages	100A,60nsec,50-1100VUltraFastRecoveryRectifier	SSDI Solid States Devices, Inc	SSDI

详细参数

型号：
SBE817
制造商：
SANYO
制造商全称：
Sanyo Semicon Device
功能描述：
Low IR Schottky Barrier Diode 15V, 2.0A Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市威雅利发展有限公司	SBE818-TL	ON	16+14+	6-MCPH	4931	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	SBE818-TL	ON	23+	6-MCPH	4931	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市河锋鑫科技有限公司	SBE818TLE	ON Semiconductor	22+	8EMH	9000	原厂渠道,现货配单	询价
天津市博通航睿技术有限公司	SBE818TLE	ON Semiconductor	23+	8EMH	7000		询价
深圳市纳立科技有限公司	SBE818-TL-E		三年内		1983	只做原装正品	询价
深圳市宏捷佳电子科技有限公司	SBE818-TL-E	onsemi	25+	8-SMD 扁平引线	9350	独立分销商公司只做原装诚心经营免费试样正品保证	询价
深圳市天卓伟业电子有限公司	SBEC2470JH00K	KEMET			60000	全新、原装	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	SBESD0801S	SECOS	23+	DFN1006	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
深圳诚思涵科技有限公司	SBESD9N5	Secos	19+	DFN1006-2	200000		询价
深圳市粤骏腾电子科技有限公司	SBESD9N5	SECOS	24+	DFN1006-2L	900000	原装进口特价	询价

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