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SBCP56T3G	文件：161.78 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current: 1.0 A • The SOT−223 package can be 文件：161.78 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCP56T3G	文件：74.89 Kbytes Page：5 Pages	NPN Silicon Epitaxial Transistor NPN Silicon Epitaxial Transistor These NPN Silicon Epitaxial transistors are designed for use in audio amplifier applications. The device is housed in the SOT−223 package, which is designed for medium power surface mount applications. Features • High Current: 1.0 A • The SOT−223 package can be 文件：74.89 Kbytes 页数：5 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCP56T3G	文件：300 bytes Page：1 Pages	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR NPN 80V	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBCP56T3G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-261-4，TO-261AA；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 80V 1A SOT223	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SBCP56T3G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
500mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
40 @ 150mA，2V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装：
SOT-223（TO-261）
描述：
TRANS NPN 80V 1A SOT223

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