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SBC847BLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: > 4000 V ESD Rating − Machine Model: > 400 V • S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Q 文件：178.21 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：116.72 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors 文件：113.71 Kbytes 页数：13 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：300 bytes Page：1 Pages	三极管	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
SBC847BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

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更多SBC847BLT1G供应商更新时间2025-10-10 16:10:00

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