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SBC847BLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:>4000V ESDRating−MachineModel:>400V •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：113.71 Kbytes Page：13 Pages	General Purpose Transistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SBC847BLT1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847BLT1	文件：183.42 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	LRCLeshan Radio Company 乐山无线电乐山无线电股份有限公司	LRC
BC847BLT1	文件：160.4 Kbytes Page：6 Pages	GeneralPurposeTransistors(NPNSilicon) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating −HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847BLT1	文件：220.78 Kbytes Page：6 Pages	CASE318-08,STYLE6SOT-23(TO-236AB) GeneralPurposeTransistors NPNSilicon	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
BC847BLT1G	文件：116.72 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
BC847BLT1G	文件：178.21 Kbytes Page：13 Pages	GeneralPurposeTransistors GeneralPurposeTransistors NPNSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating−HumanBodyModel:>4000V ESDRating−MachineModel:>400V •SandNSVPrefixforAutomotiveandOtherApplicationsRequiring UniqueSiteandControlChangeRequirements;AEC−Q101 Q	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
SBC847BLT1G
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
600mV @ 5mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
15nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
200 @ 2mA，5V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3（TO-236）
描述：
TRANS NPN 45V 0.1A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多SBC847BLT1G供应商更新时间2025-5-29 13:30:00

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