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SB035C015-1	文件：155.66 Kbytes Page：1 Pages	Schottky cr Barrier Diode Wafer Features Oxide Passivated Junction Very Low Forward Voltage 125 º C Junction Operating Low Reverse Leakage Supplied as Wafers Chromium Barrier >1000V ESD (MM) 文件：155.66 Kbytes 页数：1 Pages	TEL 东电电子	TEL
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更多SB035C015-1供应商更新时间2025-10-12 11:06:00