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S9013T	文件：101.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor FEATURE Power dissipation PCM : 0.625 W Tamb=25 °C Collector current ICM: 0.5 A Collector-base voltage V(BR)CBO : 40 V Operating and storage junction temperature range Tj, Tstg: -55 to +150 °C 文件：101.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9013T_15	文件：101.62 Kbytes Page：2 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：101.62 Kbytes 页数：2 Pages	SECOS 喜可士	SECOS
S9013T	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN小信号三极管	CBI 创基电子	CBI
S9013T	文件：300 bytes Page：1 Pages	Small Signal Transistor	Secos 喜可士	Secos

技术参数

Type：
NPN
PD (mW)：
625
VCBO (V)：
40
VCEO (V)：
25
IC (mA)：
500
hFE_Min/Max：
64/400
hFE_IC(mA)/VCE(V)：
50/1
VCE(sat)(V)：
0.6
VCE(sat)_IC/IB(mA)：
500/50
fT (MHz)：
150
Package：
TO-92

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S9013T供应商更新时间2025-10-4 17:01:00

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