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S9012T	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor FEATURE Powerdissipation PCM:0.625WTamb=25°C Collectorcurrent ICM:-0.5A Collector-basevoltage V(BR)CBO:-40V Operatingandstoragejunctiontemperaturerange Tj,Tstg:-55°Cto+150°C	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9012T_15	文件：95.56 Kbytes Page：2 Pages	PNP Epitaxial Silicon Transistor	SECOSSeCoS Halbleitertechnologie GmbH 喜可士喜可士股份有限公司	SECOS
S9012W	文件：1.85073 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323Plastic-EncapsulateTransistors FEATURES ComplementarytoS9013W ExcellenthFElinearity	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
S9012W	文件：1.1333 Mbytes Page：4 Pages	SOT-323TPlastic-EncapsulateTransistors	JIANGSUJiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd 长电科技江苏长电科技股份有限公司	JIANGSU
SC9012	文件：177.39 Kbytes Page：12 Pages	INFRAREDREMOTECONTROLTRANSMITTER DESCRIPTION SC9012isaninfraredremotecontroltransmitterutilizingCMOSTechnologyspeciallydesignedforuseoninfraredremotecontrolapplications.Itiscapableofcontrolling32functionkeysand6doublekeys.Eachsystemhasamaximumof8commands;thus,SC9012canprovideuptoat	SILANSilan Microelectronics Joint-stock 士兰微杭州士兰微电子股份有限公司	SILAN
SM-BGA-9012	文件：385.39 Kbytes Page：4 Pages	DirectmountstotargetPCBwithhardware	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SM-QFN-9012	文件：298.65 Kbytes Page：5 Pages	Lowandstablecontactresistanceforreliableproductionyield	IRONWOOD Ironwood Electronics.	IRONWOOD
SS9012	文件：35.96 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) •ComplementarytoSS9013 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SS9012	文件：219.94 Kbytes Page：6 Pages	PNP(1WOUTPUTAMPLIFIEROFPOTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION) 1WOUTPUTAMPLIFIEROFPOTABLERADIOSINCLASSBPUSH-PULLOPERATION. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) •ComplementarytoSS9013 •ExcellenthFElinearity.	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
SS9012	文件：41.45 Kbytes Page：4 Pages	1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. 1WOutputAmplifierofPotableRadiosinClassBPush-pullOperation. •Hightotalpowerdissipation.(PT=625mW) •HighCollectorCurrent.(IC=-500mA) •ComplementarytoSS9013 •ExcellenthFElinearity.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

详细参数

型号：
S9012T
制造商：
SECOS
制造商全称：
SeCoS Halbleitertechnologie GmbH
功能描述：
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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