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S8890-02	文件：300 bytes Page：1 Pages	长波长型APD \n- 高灵敏度\n- 高增益\n- 低结电容;	Hamamatsu 滨松光子	Hamamatsu
S8890-02	文件：142.55 Kbytes Page：3 Pages	Long wavelength type APD 文件：142.55 Kbytes 页数：3 Pages	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
S8B-EH(LF)(SN)	文件：0 bytes Page：0 Pages	/	JST JST集团上传：深圳市骏创达科技有限公司	JST
S8B-PH-KL	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST
S8B-PH-K-S	文件：0 bytes Page：0 Pages	N/A	JST JST集团上传：深圳市云泰半导体科技有限公司二部	JST

技术参数

感光面积：
φ0.2 mm
封装：
金属
封装类型：
TO-5
峰值波长（典型值）：
940 nm
光谱响应范围（最小值）：
400 to 1100 nm
暗电流（最大值）：
2 nA
截止频率（典型值）：
280 MHz
结电容（典型值）：
0.2 pF
击穿电压（典型值）：
500 V
击穿电压温度系数（典型值）：
3.5 V/℃
增益（典型值）：
100
测试条件：
Ta=25 ℃，除非特别说明，均为典型值，灵敏度：λ=940 nm，M=100

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