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S7686

Photodiode with sensitivity close to spectral luminous efficiency

文件:87.07 Kbytes 页数:2 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

S7686

灵敏度接近光谱发光效率的光电二极管

S7686的光谱响应特性比传统的可见补偿传感器(如S1133等)与人眼灵敏度(光谱发光效率)更加相似。 \n-光谱响应与CIE光谱发光效率相似\n-陶瓷封装、高可靠性\n-感光面积: 2.4 × 2.8 mm\n-高速响应:0.5 us (VR=0 V, RL=1 kΩ)\n-fs值: 8% 典型值(垂直光入射);

Hamamatsu

滨松光子

S7686_15

Si photodiode

文件:191.81 Kbytes 页数:4 Pages

HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd.

滨松光子滨松光子学株式会社

SI7686DP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:110.29 Kbytes 页数:7 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SI7686DP

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:302.37 Kbytes 页数:13 Pages

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

SP7686

Constant Current Flash Driver in DFN 2mm x 3mm

文件:1.4605 Mbytes 页数:16 Pages

Sipex

技术参数

  • 象元数:

    1

  • 封装:

    陶瓷

  • 封装类型:

    带滤色片(CIE)

  • 制冷:

    非制冷

  • 反偏电压(最大):

    10V

  • 光谱响应范围:

    480 to 660 nm

  • 峰值波长:

    550 nm

  • 灵敏度:

    0.38 A/W

  • 暗电流:

    20 pA

  • 上升时间(典型值):

    0.5 μs

  • 结电容:

    200 pF

  • 测试条件:

    Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=λp,暗电流: VR=1 V,结电容: VR=0V,f=10kHz

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多S7686供应商 更新时间2025-12-14 9:12:00