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S6DR	文件：763.53 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode Features • High Surge Capability • Not ESD Sensitive • Types from 100 V to 600 V VRRM 文件：763.53 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
S6DR	文件：776.57 Kbytes Page：3 Pages	Silicon Standard Recovery Diode 文件：776.57 Kbytes 页数：3 Pages	GENESIC	GENESIC
S6DR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-203AA，DO-4，接线柱；包装：散装类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4	GeneSiC Semiconductor	GeneSiC Semiconductor
S6E1A12C0AGV20000高频继电器	文件：0 bytes Page：0 Pages	LQFP-48	CYPRESS/赛普拉斯上传：深圳庞田科技有限公司	CYPRESS/赛普拉斯
S6J324CKSPSE20000	文件：0 bytes Page：0 Pages	TEQFP-208	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司上传：深圳市振宏微科技有限公司	CYPRESS

产品属性

产品编号：
S6DR
制造商：
GeneSiC Semiconductor
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
散装
二极管类型：
标准型，反极性
电流 - 平均整流 (Io)：
6A
速度：
标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
底座，接线柱安装
封装/外壳：
DO-203AA，DO-4，接线柱
供应商器件封装：
DO-4
工作温度 - 结：
-65°C ~ 175°C
描述：
DIODE GEN PURP REV 200V 6A DO4

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