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S6D06065I	文件：903.45 Kbytes Page：10 Pages	6A 650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°CTJoperation Ultra-lowswitchingloss Switchingspeedsindependentofoperatingtemperature Lowtotalconductionlosses Highforwardsurgecurrentcapability Highpackageisolationvoltage Terminalsfinish:100PureTin “-A”isanAEC-Q101qualifieddevice Pb−FreeDevice AllSMCp	SMCDIODESMC Diode Solutions Co. LTD 桑德斯微电子桑德斯微电子器件（南京）有限公司
S6D06065I	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属
S6D06065I-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMCSangdest Microelectronic (Nanjing) Co., Ltd 烧结金属
C6D06065A	文件：1.6785 Mbytes Page：9 Pages	6thGeneration650V,6ASiliconCarbideSchottkyDiode Description WiththeperformanceadvantagesofaSiliconCarbide(SiC) SchottkyBarrierdiode,powerelectronicssystemscanexpect tomeethigherefficiencystandardsthanSi-basedsolutions, whilealsoreachinghigherfrequenciesandpowerdensities. SiCdiodescanbeeasilyparalleledtom	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.
C6D06065A	文件：738.03 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiode	CreeCree, Inc 科锐
C6D06065E	文件：640.63 Kbytes Page：6 Pages	SiliconCarbideSchottkyDiodeZ-Rec®Rectifier Features •New6thGenerationTechnology •LowForwardVoltageDrop(VF ) •ZeroReverseRecoveryCurrent •ZeroForwardRecoveryVoltage •LowLeakageCurrent(Ir ) •Temperature-IndependentSwitchingBehavior •PositiveTemperatureCoefficientonVF Benefits •HigherSystemLevelEffi	WOLFSPEED WOLFSPEED, INC.

技术参数

Package：
TO-220-Isolation
VRWM（V）：
650
IO (A)：
6
IFSM Max.(A)：
52
IR Max.@VWM (μA)：
3(0.3typical)
VF Max. (V)：
1.5(1.27typical)
CT Max. (pF)：
559typical
Part Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	S6D0628X01-BOC8		2020+		12000	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
深圳市澳亿芯电子科技有限公司	S6D1121X01-BOC8	专营内存IC			1	普通	询价
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更多S6D06065I供应商更新时间2025-8-2 13:58:00

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