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S630	文件：418.5 Kbytes Page：1 Pages	350 WATTS DC/DC SINGLE OUTPUT 文件：418.5 Kbytes 页数：1 Pages	POWERBOX	POWERBOX
S6301	文件：437.87 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Bare Die 文件：437.87 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S6302	文件：512.07 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Bare Die 文件：512.07 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S63036	文件：1.51531 Mbytes Page：23 Pages	HIGH-EFFICIENCY SINGLE INDUCTOR BUCK-BOOST CONVERTER In Tiny WCSP 文件：1.51531 Mbytes 页数：23 Pages	TI 德州仪器	TI
S6304	文件：437.99 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Bare Die 文件：437.99 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S6305MG	文件：213.6 Kbytes Page：5 Pages	Red Laser Diode 文件：213.6 Kbytes 页数：5 Pages	ROITHNER	ROITHNER
S6306	文件：438.38 Kbytes Page：4 Pages	SiC Schottky Barrier Diode Bare Die 文件：438.38 Kbytes 页数：4 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S6307	文件：973.24 Kbytes Page：5 Pages	SiC Schottky Barrier Diode 文件：973.24 Kbytes 页数：5 Pages	ROHM 罗姆	ROHM
S6304	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管Bare Die S6304是SiC的外延平面型肖特基势垒二极管。其特点是恢复时间短、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。 · Shorter recovery time\n· Reduced temperature dependence\n· High-speed switching possible;	ROHM 罗姆	ROHM
S6305	文件：300 bytes Page：1 Pages	SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管Bare Die S6305是SiC的外延平面型肖特基势垒二极管。其特点是恢复时间短、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。\n\n SiC支持页面\n\n评估板应用实例\n\n罗姆SiC器件什么是SiC？\n\n电子基础 · Shorter recovery time\n· Reduced temperature dependence\n· High-speed switching possible;	ROHM 罗姆	ROHM

晶体管资料

型号：
S630T
别名：
三极管、晶体管、晶体三极管
生产厂家：
制作材料：
性质：
低速（LS）_开关管（SW）
封装形式：
直插封装
极限工作电压：
1.4KV
最大电流允许值：
5A
最大工作频率：
<1MHZ或未知
引脚数：
2
可代换的型号：
最大耗散功率：
12W
放大倍数：
图片代号：
E-44
vtest：
1400
htest：
999900
atest：
5
wtest：
12

技术参数

RoHS：
Yes
Reverse Voltage[V]：
1200
Continuous Forward Current[A]：
10
Generation：
2nd Gen
Junction Temperature(Max.)[°C]：
175
Storage Temperature (Min.)[°C]：
-55
Storage Temperature (Max.)[°C]：
175

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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