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SIDR5802EP

N-Channel80V(D-S)175°CMOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •VerylowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •TunedforthelowestRDS-QossFOM •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsof compliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Prima

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SIR5802DP

N-Channel80V(D-S)MOSFET

FEATURES •TrenchFET®GenVpowerMOSFET •Ultra-lowRDSxQgFOMproduct •OptimizedQgd/Qgsratio •Excellentefficiencyperformancein powersupplies •100RgandUIStested •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

SPD5802

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802

HYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802S

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802SMS

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802SMSS

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802SMSTX

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802SMSTXV

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

SPD5802TX

LOWLEAKAGE2.0AMPS50-150VOLTS25nsHYPERFASTRECOVERYRECTIFIER

SSDI

Solid States Devices, Inc

晶体管资料

  • 型号:

    S5802C

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    F-Thy

  • 性质:

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    300V

  • 最大电流允许值:

    3.2A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    S5800C,

  • 最大耗散功率:

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-10

  • vtest:

    300

  • htest:

    999900

  • atest:

    3.2

  • wtest:

    0

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
24+
SMD
3000
自己现货
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原厂
2024+
SMD
50000
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更多S5802C供应商 更新时间2025-5-21 16:00:00