N-channel SiC power MOSFET bare die

Features 1) Low on-resistance 2) Fast switching speed 3) Fast reverse recovery 4) Easy to parallel 5) Simple to drive Application ・Induction heating ・Motor drives ・Switch mode power supplies ・Solar inverters ・DC/DC converters

文件：849.44 Kbytes 页数：12 Pages

ROHM

罗姆

N-channel SiC（碳化硅）功率MOSFET Bare die

S4107是SiC（碳化硅）功率MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。\n\n SiC支持页面\n\n评估板 应用实例\n\n罗姆SiC器件 什么是SiC？\n\n电子基础 • Low on-resistance\n• Fast reverse recovery\n• Simple to drive\n;

ROHM

罗姆

1 GHz Band Down Converter Application

文件：152.7 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝

Bipolar Linear Integrated Circuit Silicon Monolithic

文件：102.72 Kbytes 页数：7 Pages

TOSHIBA

东芝

TWO-STAGE HYSTERETIC LED DRIVER CONTROLLER

文件：160.93 Kbytes 页数：4 Pages

UTC

友顺