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S4002

N-channel SiC(碳化硅)功率MOSFET Bare die

S4002是SiC(碳化硅)沟槽型MOSFET。其特征是高耐压、低导通电阻、高速开关。\n\n关于Bare Die的销售请向本公司销售部门咨询规格。现在尚未进行网络销售及经由网络公司进行销售。\n\n SiC支持页面\n\n评估板 应用实例\n\n罗姆SiC器件 什么是SiC?\n\n电子基础 · Low ON resistance\n· Fast switching speed\n· Fast revese recovery\n· Easy to parallel\n· Simple to drive;

ROHM

罗姆

S4002

N-channel SiC power MOSFET bare die

文件:664.95 Kbytes 页数:13 Pages

ROHM

罗姆

S4002AC

SKY

LI-ON

立昂微

SAM4002

Standard Avalanche Diodes

文件:137.63 Kbytes 页数:2 Pages

Semikron

赛米控丹佛斯

SAM4002

Standard Avalanche Diodes

文件:171.08 Kbytes 页数:2 Pages

Semikron

赛米控丹佛斯

SBM4002PT

GLASS PASSIVATED SILICON RECTIFIER

文件:72.15 Kbytes 页数:2 Pages

CHENMKO

力勤

技术参数

  • RoHS:

    Yes

  • Drain-source Voltage[V]:

    650

  • Drain-source On-state Resistance(Typ.)[mΩ]:

    22

  • Generation:

    3rd Gen

  • Drain Current[A]:

    93

  • Junction Temperature(Max.)[°C]:

    175

  • Storage Temperature (Min.)[°C]:

    -55

  • Storage Temperature (Max.)[°C]:

    175

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更多S4002供应商 更新时间2025-11-30 16:01:00