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TRS3E65H	文件：415.57 Kbytes Page：7 Pages	Marking：S3E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features Chipdesignof3rdgeneration Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) Lowtotalcapacitivecharge:Qc=9nC(typ.) Lowreversecurrent:IR=0.4μA(typ.)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA

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TRS3E65H

文件：415.57 Kbytes

Page：7 Pages

Marking：S3E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode

Applications •PowerFactorCorrection •SolarInverters •UninterruptiblePowerSupplies •DC-DCConverters Features Chipdesignof3rdgeneration Lowforwardvoltage:VF=1.2V(typ.) Lowtotalcapacitivecharge:Qc=9nC(typ.) Lowreversecurrent:IR=0.4μA(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

TOSHIBA

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更多S3E65H供应商更新时间2025-5-17 16:44:00

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