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丝印：S3E65H；Package：TO-220-2L；SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features Chip design of 3rd generation Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) Low total capacitive charge: Qc = 9nC (typ.) Low reverse current: IR = 0.4 μA (typ.) 文件：415.57 Kbytes 页数：7 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | ||
S3E65H | SiC Schottky Barrier Diode Applications • Power Factor Correction • Solar Inverters • Uninterruptible Power Supplies • DC-DC Converters Features Chip design of 3rd generation Low forward voltage : VF = 1.2 V (typ.) Low total capacitive charge: Qc = 9nC (typ.) Low reverse current: IR = 0.4 μA (typ.) 文件：415.57 Kbytes 页数：7 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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更新时间2026-2-4 9:06:00
