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S3D20065C-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMC 桑德斯微电子	SMC
S3D20065D	文件：1.61261 Mbytes Page：7 Pages	650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage Terminals finish: 100% Pure Tin “-A” is an AEC-Q101 qualified device Pb − Free Device All 文件：1.61261 Mbytes 页数：7 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S3D20065E	文件：772.74 Kbytes Page：11 Pages	650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage “-A” is an AEC-Q101 qualified device Terminals finish: 100% Pure Tin Pb − Free Device All 文件：772.74 Kbytes 页数：11 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S3D20065ETR	文件：772.74 Kbytes Page：11 Pages	650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage “-A” is an AEC-Q101 qualified device Terminals finish: 100% Pure Tin Pb − Free Device All 文件：772.74 Kbytes 页数：11 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE

技术参数

Package：
TO-220AB
VRWM（V）：
650
IO (A)：
20
IR Max.@VWM (μA)：
40(0.7typical)(perleg)
VF Max. (V)：
1.7(1.45typical)(perleg)
Part Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S3D20065C-A供应商更新时间2025-10-6 11:06:00

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