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S3D03065F-A	文件：1.64917 Mbytes Page：9 Pages	3A 650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS  175°C TJ operation  Ultra-low switching loss  Switching speeds independent of operating temperature  Low total conduction losses  High forward surge current capability  High package isolation voltage  Terminals finish: 100 Pure Tin  “-A” is an AEC-Q101 qualified device  Pb − Free 文件：1.64917 Mbytes 页数：9 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S3D03065F-A	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC Schottky Diodes	SMC 桑德斯微电子	SMC
S3D03065I	文件：1.64917 Mbytes Page：9 Pages	3A 650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS  175°C TJ operation  Ultra-low switching loss  Switching speeds independent of operating temperature  Low total conduction losses  High forward surge current capability  High package isolation voltage  Terminals finish: 100 Pure Tin  “-A” is an AEC-Q101 qualified device  Pb − Free 文件：1.64917 Mbytes 页数：9 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S3D03065I-A	文件：1.64917 Mbytes Page：9 Pages	3A 650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS  175°C TJ operation  Ultra-low switching loss  Switching speeds independent of operating temperature  Low total conduction losses  High forward surge current capability  High package isolation voltage  Terminals finish: 100 Pure Tin  “-A” is an AEC-Q101 qualified device  Pb − Free 文件：1.64917 Mbytes 页数：9 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S3D03065L	文件：1.25534 Mbytes Page：6 Pages	650V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIER 175°C TJ operation Ultra-low switching loss Switching speeds independent of operating temperature Low total conduction losses High forward surge current capability High package isolation voltage Terminals finish: 100 Pure Tin “-A” is an AEC-Q101 qualified device Pb − Free Device All SMC p 文件：1.25534 Mbytes 页数：6 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE

技术参数

Package：
ITO-220AC
VRWM（V）：
650
IO (A)：
3
IFSM Max.(A)：
27
IR Max.@VWM (μA)：
2(0.03typical)
VF Max. (V)：
1.7(1.4typical)
Part Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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