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HCT-374	文件：4.15399 Mbytes Page：2 Pages	HighCurrentToroidalInductors	API API Delevan Inc.	API
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HCTS374D	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374D	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HCTS374KMSR	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374KMSR	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374KTR	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：183.82 Kbytes Page：11 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Description TheIntersilHCTS374MSisaRadiationHardenednon-invertingoctalD-type,positiveedgetriggeredflip-flopwiththree-stateableoutputs.Theeightflip-flopsenterdataintotheirregistersontheLOW-to-HIGHtransitionoftheclock(CP).Dataisalsotransferredtotheoutputsduri	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HCTS374MS	文件：548.37 Kbytes Page：10 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Features •3MicronRadiationHardenedSOSCMOS •TotalDose200KRAD(Si) •SEPEffectiveLETNoUpsets:>100MEV-cm2/mg •SingleEventUpset(SEU)Immunity1x1012RAD(Si)/s •DoseRateUpset>1010RAD(Si)/s20nsPulse •Lat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HCTS374T	文件：96.29 Kbytes Page：3 Pages	RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered RadiationHardenedOctalD-TypeFlip-Flop,Three-State,PositiveEdgeTriggered Intersil’sSatelliteApplicationsFlowTM(SAF)devicesarefullytestedandguaranteedto100kRADtotaldose.TheseQMLClassTdevicesareprocessedtoastandardflowintendedtomeetthecostandshorterlead-time	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
HE374B	文件：112.31 Kbytes Page：1 Pages	BroadbandAmplifier	BOWEIBOWEI Integrated Circuits CO.,LTD. 博威集成电路河北博威集成电路有限公司	BOWEI
HF374	文件：1.93062 Mbytes Page：12 Pages	SignalandRFRelays	MACOM Tyco Electronics	MACOM
HMC374	文件：249.3 Kbytes Page：6 Pages	SMTPHEMTLOWNOISEAMPLIFIER,0.3-3.0GHz GeneralDescription TheHMC374&HMC374EaregeneralpurposebroadbandLowNoiseAmplifiers(LNA)foruseinthe0.3-3GHzfrequencyrange.TheLNAprovides15dBofgainanda1.5dBnoisefigurefromasinglepositivesupplyof+2.75to+5.5V.Thelownoisefigurecoupledwithahigh	Hittite HITTITE	Hittite

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详细参数

型号：
S374
制造商：
TI
制造商全称：
Texas Instruments
功能描述：
OCTAL D-TYPE TRANSPARENT LATCHES AND EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS

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更多S374供应商更新时间2024-5-21 11:15:00

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