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S34ML01G200BHI900中文资料NAND闪存 1Gb, 3V, 25ns NAND闪存数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
S34ML01G200BHI900 |
| 参数属性 | S34ML01G200BHI900 封装/外壳为63-VFBGA；包装为散装；类别为集成电路（IC）的存储器；产品描述：IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA |
| 功能描述 | NAND闪存 1Gb, 3V, 25ns NAND闪存 |
| 封装外壳 | 63-VFBGA |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-24 16:50:00 |
| 人工找货 | S34ML01G200BHI900价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
技术参数
- 产品编号：
S34ML01G200BHI900
- 制造商：
Cypress Semiconductor Corp
- 类别：
集成电路（IC） > 存储器
- 系列：
ML-2
- 包装：
散装
- 存储器类型：
非易失
- 存储器格式：
闪存
- 技术：
闪存 - NAND
- 存储容量：
1Gb（128M x 8）
- 存储器接口：
并联
- 写周期时间 - 字，页：
25ns
- 电压 - 供电：
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
63-VFBGA
- 供应商器件封装：
63-BGA（11x9）
- 描述：
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SPANSION |
25+23+ |
BGA |
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