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S34ML01G200BHI500中文资料NAND闪存 1Gb, 3V, 25ns NAND闪存数据手册Infineon规格书

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厂商型号

S34ML01G200BHI500

参数属性

S34ML01G200BHI500 封装/外壳为63-VFBGA;包装为散装;类别为集成电路(IC)的存储器;产品描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA

功能描述

NAND闪存 1Gb, 3V, 25ns NAND闪存

封装外壳

63-VFBGA

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-24 16:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    S34ML01G200BHI500

  • 制造商:

    Cypress Semiconductor Corp

  • 类别:

    集成电路(IC) > 存储器

  • 系列:

    ML-2

  • 包装:

    散装

  • 存储器类型:

    非易失

  • 存储器格式:

    闪存

  • 技术:

    闪存 - NAND

  • 存储容量:

    1Gb(128M x 8)

  • 存储器接口:

    并联

  • 写周期时间 - 字,页:

    25ns

  • 电压 - 供电:

    2.7V ~ 3.6V

  • 工作温度:

    -40°C ~ 85°C(TA)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    63-VFBGA

  • 供应商器件封装:

    63-BGA(11x9)

  • 描述:

    IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63BGA

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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