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S2M0080120D	文件：3.84612 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 77mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：3.84612 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0080120D	文件：300 bytes Page：1 Pages	Discrete SiC MOSFETs	SMC 桑德斯微电子	SMC
S2M0080120J	文件：4.32204 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET Positive temperature characteristics, easy to parallel. Low on-resistance Typ. RDS(on) = 77mΩ . Fast switching speed and low switching losses. Very fast and robust intrinsic body diode. Process of non-bright Tin electroplatin 文件：4.32204 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0080120K	文件：3.81141 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 77mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. •“-A” is an AEC-Q101 qualified device • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：3.81141 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE
S2M0080120N	文件：3.80402 Mbytes Page：10 Pages	1200V SIC POWER MOSFET • Positive temperature characteristics, easy to parallel. • Low on-resistance Typ. RDS(on) = 77mΩ . • Fast switching speed and low switching losses. • Very fast and robust intrinsic body diode. • Process of non-bright Tin electroplatin 文件：3.80402 Mbytes 页数：10 Pages	SMCDIODE 桑德斯微电子	SMCDIODE

技术参数

Package：
TO-247-3
VRWM（V）：
1200
Rds(ON) (mΩ)：
100
ID(A)：
41
VGS(th) (V)：
4
Part Status：
Active

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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