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S29PL127J70	文件：1.99707 Mbytes Page：106 Pages	CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control 文件：1.99707 Mbytes 页数：106 Pages	SPANSION 飞索	SPANSION
S29PL127J70BAI003	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL127J70BAI020	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL127J70BAW000	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL127J70BAI003	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：80-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
S29PL127J70BAI020	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：64-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS
S29PL127J70BAW000	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：80-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 80FBGA	CYPRESSCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	CYPRESS

技术参数

Density (Mbit)：
128
Initial Access Time (ns)：
70
Interface：
Parallel
Interface Bandwidth (MBps)：
0
Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)：
NA
Operating Voltage (V)：
3
Page Access Time (ns)：
20
Series：
PL-J
Tape & Reel：
Y
Temperature Range (Min C to Max C)：
-40C to +85C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市一线半导体有限公司	S29PL127J70BAW02	SPANSION	24+		366		询价
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更多S29PL127J70供应商更新时间2026-1-31 15:30:00

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