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S29PL064J	文件：1.99707 Mbytes Page：106 Pages	CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control 文件：1.99707 Mbytes 页数：106 Pages	spansion 飞索	spansion
S29PL064J70BFI120	文件：2.31794 Mbytes Page：100 Pages	CMOS 3.0 Volt-Only, Simultaneous-Read/Write Flash Memory with Enhanced VersatileIO Control 文件：2.31794 Mbytes 页数：100 Pages	spansion 飞索	spansion
S29PL064J55BFI073	文件：300 bytes Page：1 Pages	Parallel NOR 闪存	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL064J55BFI120	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode NOR Flash	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL064J55BFI123	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 128Mb 3.0V Parallel Page Mode, Simultaneous Read/Write (PL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29PL064J55BFI073	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-VFBGA；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 56FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29PL064J55BFI120	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：托盘托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29PL064J55BFI123	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：48-VFBGA；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48FBGA	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

技术参数

Density (Mbit)：
64
Initial Access Time (ns)：
55
Interface：
Parallel
Interface Bandwidth (MBps)：
0
Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)：
NA
Operating Voltage (V)：
3
Page Access Time (ns)：
20
Series：
PL-J
Tape & Reel：
Y
Temperature Range (Min C to Max C)：
-40C to +85C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多S29PL064J供应商更新时间2025-12-22 17:05:00

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