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S29GL512T	文件：1.70197 Mbytes Page：123 Pages	1 Gb (128 MB)/512 Mb (64 MB) GL-T MIRRORBIT™ Flash Parallel, 3.0 V Features •45-nmMIRRORBIT™technology •Singlesupply(VCC)forread/program/erase(2.7Vto3.6V) •VersatileI/Ofeature -WideI/Ovoltagerange(VIO):1.65VtoVCC •×8/×16databus •Asynchronous32-bytepageread •512-byteprogrammingbuffer -Programminginpagemultiples,u	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
S29GL512T	文件：10.04171 Mbytes Page：105 Pages	1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL512T10DHA013	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
S29GL512T10DHA020	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
S29GL512T10DHAyyx	文件：10.04171 Mbytes Page：105 Pages	1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL512T10DHI020	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
S29GL512T10DHIyyx	文件：10.04171 Mbytes Page：105 Pages	1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL512T10FAIyyx	文件：10.04171 Mbytes Page：105 Pages	1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte)	CypressCypressSemiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
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技术参数

Density (Mbit)：
512
Initial Access Time (ns)：
100
Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)：
NA
最高工作电压 (V)：
3.60
最低工作电压 (V)：
2.70
Operating Voltage (V)：
3
Part Family：
Parallel NOR
Series：
GL-T
Tape & Reel：
否
Temperature Range (Min C to Max C)：
-40C to +85C

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更多S29GL512T供应商更新时间2025-7-28 15:51:00

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