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S29GL256P11TFIV10	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit and 128 Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology General Description The Spansion S29GL01G/512/256/128P are Mirrorbit® Flash products fabricated on 90 nm process technology. These devices offer a fast page acces 文件：1.56172 Mbytes 页数：71 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256P11TFIV12	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit and 128 Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology General Description The Spansion S29GL01G/512/256/128P are Mirrorbit® Flash products fabricated on 90 nm process technology. These devices offer a fast page acces 文件：1.56172 Mbytes 页数：71 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256P11TFIV13	文件：1.56172 Mbytes Page：71 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 1 Gigabit, 512 Megabit, 256 Megabit and 128 Megabit 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology General Description The Spansion S29GL01G/512/256/128P are Mirrorbit® Flash products fabricated on 90 nm process technology. These devices offer a fast page acces 文件：1.56172 Mbytes 页数：71 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256P11TFIV10	文件：2.73551 Mbytes Page：77 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 文件：2.73551 Mbytes 页数：77 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256P11TFIV12	文件：2.73551 Mbytes Page：77 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology 文件：2.73551 Mbytes 页数：77 Pages	spansion 飞索	spansion
S29GL256P11TFIV10	文件：300 bytes Page：1 Pages	32Mb – 2Gb 3.0V High Performance Parallel NOR Flash	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL256P11TFIV13	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 2Gb 3.0V High Performance, Parallel Page Mode (GL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL256P11TFIV10	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：托盘类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress
S29GL256P11TFIV13	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）存储器描述：IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP	CypressCypress Semiconductor 赛普拉斯赛普拉斯半导体公司	Cypress

产品属性

产品编号：
S29GL256P11TFIV10
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
GL-P
包装：
托盘
存储器类型：
非易失
存储器格式：
闪存
技术：
FLASH - NOR
存储容量：
256Mb（32M x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
110ns
电压 - 供电：
1.65V ~ 3.6V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装：
56-TSOP
描述：
IC FLASH 256MBIT PARALLEL 56TSOP

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