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S29GL128N10FFI013	文件：2.63199 Mbytes Page：100 Pages	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit??Process Technology 512 Megabit, 256 Megabit, and 128 Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 110 nm MirrorBit™ Process Technology General Description The S29GL512/256/128N family of devices are 3.0V single power flash memory manufactured using 110 nm MirrorBit technology. The S29GL512N is a 5 文件：2.63199 Mbytes 页数：100 Pages	SPANSION 飞索	SPANSION
S29GL128N10FFI013	文件：300 bytes Page：1 Pages	Memories for Embedded Systems - Parallel NOR Flash Memory - 32Mb – 2Gb 3.0V High Performance, Parallel Page Mode (GL) Flash Memory -	Infineon 英飞凌	Infineon
S29GL128N10FFIS20	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	CYPRESS/赛普拉斯上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	CYPRESS/赛普拉斯
S29GL128P10TFI010	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP	CYPRESS/赛普拉斯上传：深圳市鼎欣微电子有限公司	CYPRESS/赛普拉斯
S29GL128P10TFI010	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSOP56	SPANSION 飞索上传：深圳市新思迈科技有限公司	SPANSION

技术参数

Density (Mbit)：
128
Initial Access Time (ns)：
100
Interface：
Parallel
Interface Bandwidth (MBps)：
0
Interface Frequency (SDR / DDR) (MHz)：
NA
Max. Operating Voltage (V)：
3.60
Min. Operating Voltage (V)：
2.70
Operating Voltage (V)：
3
Page Access Time (ns)：
25
Series：
GL-N
Tape & Reel：
Y
Temperature Range (Min C to Max C)：
-40C to +85C

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